SJ 50033.120-1997 半导体分立器件CS205型砷化钾微波功率场效应晶体管详细规范
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ID： |
1CB98F8C0B1A4D4FB603F43F2F2F1496 |
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0.56 |
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13 |
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日期： |
2024-7-27 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/120-97,半导体分立器件,CS205型碑化钱微波功率,场效应晶体管详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type CS205 GaAs,microwave power field effect transistor,1997.06J7 发布1997-10-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,www. bzfxw. com 下载,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,CS205型碑化镣微波功率场效应晶体管 バ50033/120-97,详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type CS205 GaAs,microwave power field effect transistor,范围,1.I 主题内容,本规范规定了 CS205型碎化镣微波功率场效应晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33 -85〈半导体分立器件总规范”.3条的规定,提供的质量保证等级为普军级、特,军级和超特军级。分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4586-94场效应晶体管测试方法,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86半导体分立器件试验方法,3要求‘,3 .、、胸演訊,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和镀层,引出端材料为可伐,引出端表面镀金,3.2.2 器件结构,中华人民共和国电子工业部!997-06-17发布1997J。ー01批准,1,SJ 50033/120-97,种化緑N型沟道肖特基势垒栅,全离子注入平面结构,金属陶瓷微带管壳封装,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸见图!o,mm,符号A b c F K L P Q q U1 U2,最小值0.5 0.05 0.9 2.7 2.0 1.7 1.4 6.1,最大值2.1 0.7 0.15 1.1 2.9 L9 1.6 9.6 3.4,图1外形尺寸,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,型号Tc = 251c,w,Vns,V,Vgs,V,Id,mA,3,CS205 3.5 12 -6 【DSS 175 - 65 .175,注」）Tg > 25C时按22.7mW/K线性降额,3.3.2 主要电特性（Ta = 25じ）,2,SJ 50033/120-97,号,\,\,\,\,w\xx\\ 极限值,【dss VgSCoK) ，GSS R(th)j-c Paidb) G（idb） ワadd,Vds =,Vqs =,mA,3V,OV,Yds = 3V,ル=50mA,V,=-5V,Vds = 0V,mA,Im = 1mA,vH = IV,% = 100ms,Imd = 10Ms,K/W,Vds = 7-,Pi = 24dE,Ida0.5I,/= 8GHz,dBm,-10V,m(CS205A),四,Pi = 2,dB,dBm(CS205B),型取へ,最小值最大值最小值最大值最大值最大值最小值最小值典型值,CS205A,CS205B,500 1300 -1.5 -5.5 0.5 44 30,6,9,25%,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 4586及本规范的规定,3.5 标志,器件极性标志按图1识别,器件包盒上的标志应符合GJB 33的规定,4质量保证规定,4 .!抽样和检验,抽样和检验按GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验按GJB 33和本规范的规定,4.3 筛选（仅对GT和GCT级）,筛选应按GJB 33表2和本规范的规定,其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规范,表1极限值的器件应予剔除,筛 选试验方法,测试和试験,(见 GJB 33 表 2) GJB 128方法,3热冲击1051 除高温为150C、循环为20次外,其余同试验条件C,7中间测试按本规范表1的A2分组,8功率老炼1039 Tc = 70±3'C, Yds = 8.5V,Pw = 2.7W,9最后测试按本规范表1的A2分组;,△loss =初始值的士 !5%;,△Vgs（曲=初始值的±15%,或0.5V,取大者;,1gss く 0. 5A ，gss く 0.5mA,4.4 质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33的规定,4.4.1 A组检验,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行,4.4.3 C组检验,3,SJ 50033/120-97,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行,4.5 检验和试验方法,检验和试脸方法按本规范相应的表和下列规定,4.5.I 测试方法,直流参数测试按GJB 4586相应方法或用晶体管图示仪测试,热阻及微波参数测试按本规,范附录的规定方法,表1 A组检验,试验或检验,GB 4586,LTPD 符号,极限值,单位,方 法条 件最小最大,Al分组GJB 128 c,外观及机械检査2071,A2分组,漏极电流IV, 3 Vds = 3V,Vgs = OV,5,500 1300 mA,栅一源截止电压IV, 5 3 3V,……
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